2-26シナリオ：[VAD製造法の概念図]

このスライドは、ＶＡＤ製造法の概念図ですが、

Ｓｅｅｄ（種）があって、そこに、酸水素炎の中で四塩化シリコンや四塩化ゲルマニュウムを燃やして、つまり、酸化して、石英ガラスの微粒子を堆積します。これを、スート、多孔質母材といいますが、これを加熱して、透明ガラスにするのですが、その前処理として、水抜きが必要になります。この塩化チオニルとか、Ｈｅガスはそのためのものです。

透明化した後は、プリフォームと言いますがこれを線引き工程に回します。

屈折率の分布は、こういう複数のバーナーと堆積部分の温度分布の制御だけで行います。

概念図。

種に気相法でスートを堆積。

酸水素炎（加水分解法）が特徴＝高速合成＝ＭＣＶＤの５倍以上

　　　　　　　　　┗＝脱泡が課題：塩化チオニル、塩素、Ｈｅ

導波構造は、多重バーナと表面温度分布の制御

　　　　　　　　　┗→シングルモード、グレーデッドはできるか？

高速線引きは、ファイバ共通の課題。